Polarity Switching and Transient Responses in Single 

본 연구는 미국의 캘리포니아 버컬리 대학(University of California, Berkeley)의 화

학과 및 재료공학과 교수인 페이동 양(Peidong Yang ) 그룹이 연구 발표한 것으로, 

세계적인 과학 저널인 ''Physical Review Letters'' 8월호에 발표된 논문이다.

금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFETs)에 있어서 전하 이동자(전자

와 공공)를 조절하는 능력은 현재 디지털 정보시대에 정보를 저장하고 가공하는 방

법을 계속 발전시켰다. 특히, 본 논문이 보여준 것과 같이 MOSFET에 마이크로나 

나노 유체 시스템을 적용한 것은 이온이나 분자들을 논리적 동작으로 제어할 수 있

게 해준다.

이 논문은 무기질 나노튜브를 금속-산화물-용매 전계 효과 트랜지스터(FET)에 집적

하는 방법을 보여주었다. 이온의 전도도를 이용하여 빠른 전계 효과 변조가 가능하

다. 

반도체에 도핑하여 표면 처리를 하면 나노유체 트랜지스터의 p-형에서 양극형과 n-

형 전계 효과 트랜지스터의 스위치를 만들 수 있다. 

현재의 연구에서는 이온 교환 단계에 의해 전계 효과 변조의 속도가 제어되고 있다. 

나노 유체 FET는 매우 극소량의 분석에 사용될 수 있으며, 대형 나노 유체 집적회로

에도 적용 가능한 획기적인 기술이다.

자세한 내용은 첨부한 논문을 참조하기 바란다.

  정보출처   Physical Review Letters 8월호  

  원문언어   영어 

  출판날짜   2005년 08월 19일 

  국      가   미국 

  주제분야   전자재료(K13) 

  원본파일   http://techtrend.kisti.re.kr/down.jsp?

gubun=trend&down_url=/upload/jeongwon/Polarity Switching.pdf